Das Kompetenzzentrum für Leistungshalbleiter von STMicroelectronics (ST) befindet sich in Catania auf Sizilien. Dort sind Forschung, Entwicklung und Fertigung von Siliziumcarbid (SiC)-Substraten in Zusammenarbeit mit Forschungseinrichtungen, Universitäten und Zulieferern zusammengefasst. Valtria unterstützt ST gegenwärtig bei der zügigen Errichtung einer integrierten Reinraum-Produktionsstätte für die Herstellung von SiC-basierten Roh- und Epitaxiewafern, mit dem Ziel ST’s Lieferfähigkeit zu verbessern und die interne Substratbeschaffung zu erweitern, wobei alle Prozessschritte zur Herstellung solcher Wafer in großen Mengen unter einem Dach in Europa vereint werden. In diesem Zusammenhang gilt es zu bedenken, dass die Herstellung von SiC-Chips für Elektromobilanwendungen von entscheidender Bedeutung ist, wobei die Versorgung mit Si/SiC-Wafern für die Halbleitertechnologie ein wichtiges Anliegen der Europäischen Union ist, insbesondere mit Blick auf die reale Gefahr von Lieferengpässen bei Wafern.