Das Kompetenzzentrum für Leistungshalbleiter von STMicroelectronics (ST) befindet sich in Catania auf Sizilien. Dort sind Forschung, Entwicklung und Fertigung von Siliziumcarbid (SiC)-Substraten in Zusammenarbeit mit Forschungseinrichtungen, Universitäten und Zulieferern zusammengefasst. Valtria unterstützt ST gegenwärtig bei der zügigen Errichtung einer integrierten Reinraum-Produktionsfabrik für die Herstellung von SiC-basierten Roh- und Epitaxiewafern, mit dem Ziel ST’s Lieferfähigkeit zu verbessern und die interne Substratbeschaffung zu erweitern, wobei alle Prozessschritte zur Herstellung solcher Wafer in großen Mengen unter einem Dach in Europa vereint werden. In diesem Zusammenhang gilt es zu bedenken, dass die Herstellung von SiC-Chips für Elektromobilanwendungen von entscheidender Bedeutung ist, wobei die Versorgung mit Si/SiC-Wafern für die Halbleitertechnologie ein wichtiges Anliegen der Europäischen Union ist, insbesondere mit Blick auf die reale Gefahr von Lieferengpässen bei Wafern.
STMicroelectronics' (ST) center of excellence for power semiconductors is located in Catania, Sicily. It combines research, development, and production of silicon carbide (SiC) substrates in cooperation with research institutes, universities, and suppliers. Valtria is currently supporting ST within a fast-track realization of a new integrated clean room manufacturing facility for production of SiC-based raw and epitaxial wafers aiming to improving ST's economics by sourcing internally and becoming more independent. In this context, it is important to bear in mind that the production of SiC chips is crucial for electric vehicle applications, while the supply of Si/SiC wafers for the semiconductor’s technology is a major concern for the European Union, particularly in view of the real risk of wafer supply bottlenecks.
